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icp刻蝕機裝片介紹
以下內(nèi)容由沈陽鵬程真空技術有限責任公司為您提供，今天我們來分享icp刻蝕機的相關內(nèi)容，氣相化學沉積設備哪家好，希望對同行業(yè)的朋友有所幫助！
等離子體系統(tǒng)效應的過程轉換成材料的蝕刻工藝。在待刻蝕硅片的兩邊，分別放置一片與硅片同樣大小的玻璃夾板，疊放整齊，用夾具夾緊，確保待刻蝕的硅片中間沒有大的縫隙。冷熱探針法將夾具平穩(wěn)放入反應室的支架上，關好反應室的蓋子。等離子刻蝕檢驗原理為冷熱探針法，具體方法如下：熱探針和n型半導體接觸時，傳導電子將流向溫度較低的區(qū)域，使得熱探針處電子缺少，因而其電勢相對于同一材料上的室溫觸點而言將是正的。同樣道理，p型半導體熱探針觸點相對于室溫觸點而言將是負的。此電勢差可以用簡單的微伏表測量。熱探針的結構可以是將小的熱線圈繞在一個探針的周圍，也可以用小型的電烙鐵。
化學氣相沉積的特點
化學氣相沉積法之所以得到發(fā)展，是和它本身的特點分不開的，其特點如下。
i) 沉積物種類多: 可以沉積金屬薄膜、非金屬薄膜，也可以按要求制備多組分合金的薄膜，以及陶瓷或化合物層。
2) cvd反應在常壓或低真空進行，鍍膜的繞射性好，對于形狀復雜的表面或工件的深孔、細孔都能均勻鍍覆。
3) 能得到純度高、致密性好、殘余應力小、結晶良好的薄膜鍍層。由于反應氣體、反應產(chǎn)物和基體的相互擴散，可以得到附著力好的膜層，這對表面鈍化、*蝕及*等表面增強膜是很重要的。
4) 由于薄膜生長的溫度比膜材料的熔點低得多，由此可以得到純度高、結晶完全的膜層，這是有些半導體膜層所必須的。
5) 利用調(diào)節(jié)沉積的參數(shù)，可以有效地控制覆層的化學成分、形貌、晶體結構和晶粒度等。
6) 設備簡單、操作維修方便。
7) 反應溫度太高，一般要850~ 1100℃下進*相化學沉積設備多少錢，許多基體材料都耐受不住cvd的高溫。采用等離子或激光輔助技術可以降低沉積溫度。
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icp刻蝕機簡介
以下是沈陽鵬程真空技術有限責任公司為您一起分享的內(nèi)容，沈陽鵬程真空技術有限責任公司生產(chǎn)化學氣相沉積，歡迎新老客戶蒞臨。
一．系統(tǒng)概況
該系統(tǒng)主要用于常規(guī)尺寸樣片（不超過φ6）的刻蝕，可刻蝕的材料主要有sio2、si3n4、多晶硅、
硅、sic、gan、gaas、ito、azo、光刻膠、半導體材料、部分金屬等。設備具有選擇比高、刻
蝕速率快、重復性好等優(yōu)點。具體描述如下：
1.系統(tǒng)采用單室方箱式結構，手動上開蓋結構；
2.真空室組件及配備零部件全部采用鋁材料制造，氣相化學沉積設備，真空尺寸為400mm×400×197mm，
內(nèi)腔尺寸ф340mm×160mm；
3.*限真空度：≤6.6x10-4 pa (經(jīng)烘烤除氣后，氣相化學沉積設備廠家，采用ff160/600分子泵抽氣)；
系統(tǒng)真空檢漏漏率：≤5.0x10-7 pa.l/s；
系統(tǒng)從大氣開始抽氣到5.0x10-3 pa，20分鐘可達到（采用分子泵抽氣)；
停泵關機12小時后真空度：≤5 pa；
4.采用樣品在下，噴淋頭在上噴淋式進氣方式；
5.樣品水冷：由循環(huán)水冷水機進行控制；
7.icp頭尺寸：340mm mm，噴淋頭與樣品之間電*間距50mm；
8. 沉積工作真空：1-20pa；
9. 氣路設有勻氣系統(tǒng)，真空室內(nèi)設有保證抽氣均勻性抽氣裝置；
10. 射頻電源：2臺頻率 13.56mhz，功率600w，全自動匹配；
11. 6路氣體，共計使用6個質(zhì)量流量控制器控制進氣。
氣體：氦氣/氧氣/四氟化碳/*
12. 刻蝕速率
sio2：≥0.5μm/min
si：≥1μm/min
光刻膠：≥1μm/min
13. 刻蝕不均勻性：
優(yōu)于±5%（φ4英寸范圍內(nèi)）
優(yōu)于±6%（φ6英寸范圍內(nèi)）
14. 選擇比
cf4的選擇比為50，
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